MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, X2-DFN0806-6, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

320,00 €

(IVA esclusa)

390,00 €

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10000 +0,032 €320,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
254-8637
Codice costruttore:
DMP32D9UDAQ-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

X2-DFN0806-6

Tipo montaggio

Superficie

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Tensione diretta Vf

-0.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.35nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile in applicazioni per impieghi generali

Bassa resistenza all'accensione, bassa capacità di ingresso, gate con protezione ESD senza alogeni e antimonio