MOSFET Infineon, canale N 85 V, 26 mΩ, 42 A, TO-252, Superficie IRFR2407TRPBF
- Codice RS:
- 257-5841
- Codice Distrelec:
- 304-40-537
- Codice costruttore:
- IRFR2407TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 5 unità, in una confezione da 5*
10,01 €
(IVA esclusa)
12,21 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2440 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,002 € | 10,01 € |
| 50 - 120 | 1,64 € | 8,20 € |
| 125 - 245 | 1,546 € | 7,73 € |
| 250 - 495 | 1,424 € | 7,12 € |
| 500 + | 0,902 € | 4,51 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5841
- Codice Distrelec:
- 304-40-537
- Codice costruttore:
- IRFR2407TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 85V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 26mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 85V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 74nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET IR Infineon di MOSFET di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.
Struttura a celle planari per un'ampia SOA
Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz
Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore
Link consigliati
- MOSFET Infineon 26 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ N TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ N TO-252, Superficie IPD60R210PFD7SAUMA1
- MOSFET Infineon 40 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 7.3 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 5.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFR4104TRLPBF
