Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 150 mΩ, 0.9 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie IRF5802TRPBF

Codice RS:: 257-9290
Codice costruttore:: IRF5802TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 150 mΩ, 0.9 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie IRF5802TRPBF

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100 - 240	0,273 €	2,73 €
250 - 490	0,243 €	2,43 €
500 - 990	0,212 €	2,12 €
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Codice RS:: 257-9290
Codice costruttore:: IRF5802TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	0.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	TSOP-6
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	150mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 0.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package TSOP-6
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRF5802TRPBF

La serie IRF Infineon è la famiglia IR mosfet di mosfet di potenza che utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 150 mΩ, 0.9 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie IRF5802TRPBF

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