MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 78 mΩ, 3.7 A, 8 Pin, SO-8

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

2160,00 €

(IVA esclusa)

2640,00 €

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Codice RS:
257-9319
Codice costruttore:
IRF7820TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

78mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

330mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n singolo da 200 V in un contenitore SO 8.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Il livello normale è ottimizzato per la tensione di azionamento del gate da 10 V

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Possibilità di saldatura a onda

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