MOSFET Infineon, canale Tipo P 600 V, 380 mΩ P, 6.5 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante IPA60R380P6XKSA1
- Codice RS:
- 258-3774
- Codice costruttore:
- IPA60R380P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3774
- Codice costruttore:
- IPA60R380P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 380mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 31W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPA | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 380mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 31W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super-giunzione e ideata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di commutazione e di conduzione estremamente basse rendono l'applicazione di commutazione più efficiente, più compatta, più leggera e più fredda.
V più elevato
Buona robustezza del diodo del corpo
R g integrato ottimizzato
Migliore dv/dt da 50 V/ns
Qualità CoolMOS con oltre 12 anni di esperienza di produzione nella tecnologia Super Junction
Elevata robustezza e maggiore efficienza
Qualità e affidabilità eccezionali
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