MOSFET Infineon, canale N 100 V, 12.2 mΩ N, 59 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale IPD122N10N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3833
Codice costruttore:
IPD122N10N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.2mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla migliore tecnologia successiva, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) che FOM.

Eccellenti prestazioni di commutazione

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