MOSFET Infineon, canale Tipo N, 35 mΩ, 205 A, TSON, Superficie

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Codice RS:
258-3920
Codice costruttore:
IQE013N04LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

205A

Tipo di package

TSON

Serie

IQE

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è il MOSFET di potenza migliore della sua categoria che ottimizza l'esperienza dell'utente finale sfidando lo status quo in termini di densità di potenza e fattore di forma. Un obiettivo nella progettazione di utensili elettrici è quello di ridurre al minimo le restrizioni interne dei requisiti dell'area del circuito stampato, consentendo un design più ergonomico. Lo spostamento dell'inverter dall'impugnatura alla testa riduce al minimo il volume dell'alloggiamento del motore dell'utensile elettrico mantenendo al contempo la coppia dell'utensile a un livello ragionevolmente elevato per un'azione rapida e facile.

prestazioni termiche superiori in RthJC

Possibilità di layout ottimizzate

Ingombro standard e centrale

Capacità di corrente elevata

Uso più efficiente dell'area del circuito stampato

Massima densità di potenza e prestazioni

Ingombro ottimizzato per la parallelizzazione MOSFET con gate centrale

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