MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 150 mΩ, 17 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
258-3991
Codice costruttore:
IRL530NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

3.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è un HEXFET di quinta generazione di International Rectifier che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere la resistenza di accensione più bassa possibile per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione di seguito <100 kHz

Contenitore di potenza per montaggio superficiale standard industriale

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