MOSFET Infineon, 5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo design includono una temperatura d'esercizio di giunzione, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e in un'ampia varietà di altre applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Azionamento gate a livello logico
Temperatura d'esercizio 150 °C
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax