MOSFET Infineon, AG-EASY3B, Montaggio superficiale

Il MOSFET Infineon è dotato di una configurazione boost a 4 gambe in un contenitore Easy 3B e viene fornito con l'ultima generazione CoolSiC M1H. Il MOSFET SiC da 2000 V condivide le stesse prestazioni e i vantaggi della serie M1H da 1200 V incl. RDS(on) inferiore del 12% a 125 °C, area di tensione sorgente gate più ampia per una maggiore flessibilità, una temperatura di giunzione massima di 175 °C e dimensioni del chip più piccole.

Elevata densità di corrente
Design a bassa induttanza
Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati