MOSFET Infineon, canale Tipo N N, 9.9 A, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

637,50 €

(IVA esclusa)

777,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,255 €637,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-5141
Codice costruttore:
IPD60R650CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.9A

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS CE è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super junction (SJ) e pionieristica.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare o azionare

Link consigliati