MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Questo MOSFET di potenza a canale N è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per MOSFET a media/alta tensione caratterizzati da una RDS(on) molto bassa per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante ha una delle più basse resistenze all'accensione e valori di carica del gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.