MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 261-4760P
- Codice costruttore:
- STP65N150M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-4760P
- Codice costruttore:
- STP65N150M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza a canale N da 650 V, 128 mOhm, 20 A MDmesh M9 in un contenitore TO-220
Questo MOSFET di potenza a canale N è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per MOSFET a media/alta tensione caratterizzati da una RDS(on) molto bassa per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante ha una delle più basse resistenze all'accensione e valori di carica del gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.