MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V Miglioramento, 10 A, 7 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie
- Codice RS:
- 261-5040P
- Codice costruttore:
- SCT040HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 99 | 11,69 € |
| 100 - 249 | 11,11 € |
| 250 - 499 | 10,55 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-5040P
- Codice costruttore:
- SCT040HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | Nastro e avvolgicavo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 3.5mm | |
| Larghezza | 14 mm | |
| Lunghezza | 18.58mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package Nastro e avvolgicavo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 3.5mm | ||
Larghezza 14 mm | ||
Lunghezza 18.58mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- JP
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa terza tecnologia MOSFET SiC di generazione. Il dispositivo è dotato di un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinata con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
Certificazione AEC-Q101
RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature
Prestazioni di commutazione ad alta velocità
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Pin di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza