MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 97 mΩ, 32 A, 3 Pin, ACEPACK SMIT, Superficie SH32N65DM6AG
- Codice RS:
- 261-5478P
- Codice costruttore:
- SH32N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 261-5478P
- Codice costruttore:
- SH32N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 32A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | ACEPACK SMIT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 97mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 32A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package ACEPACK SMIT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 97mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
La combinazione di MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico STMicroelectronics di due MOSFET in una topologia a mezzo ponte. ACEPACK SMIT è un modulo di potenza molto compatto e robusto in un contenitore a montaggio superficiale per un facile assemblaggio. Il substrato DBC, il contenitore ACEPACK SMIT offre una bassa resistenza termica accoppiata con un tampone termico lato superiore isolato. L'elevata flessibilità di progettazione del contenitore consente diverse configurazioni, tra cui piedini di fase, boost e interruttore singolo attraverso diverse combinazioni degli interruttori di potenza interni.
Modulo di potenza half-bridge
Tensione di blocco 650 V
Diodo corpo a recupero rapido
Energie di commutazione molto basse
Bassa induttanza del contenitore