Transistor MOSFET Renesas Electronics, canale N, 12 Ω, 7 A, SC-65

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Codice RS:
261-5960
Codice costruttore:
2SK1317-E
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7 A

Tensione massima drain source

1500 V

Tipo di package

SC-65

Serie

2SK1317

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

12 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Paese di origine:
MY
Il canale N Renesas 2SK1317-E è un MOSFET a commutazione di potenza ad alta velocità. Il MOSFET a canale N in silicio ha una bassa corrente di azionamento e un'elevata tensione di rottura, vale a dire (Vdss = 1500 V).È adatto per regolatori di commutazione, convertitori c.c.-c.c. e driver di motori.

Temperatura d'esercizio (max) = 150 °C
Dissipazione di potenza massima = 100 W
Tensione di soglia massima del gate = 4 V

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