MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 201 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB011N04NF2SATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

5,95 €

(IVA esclusa)

7,26 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 182,975 €5,95 €
20 - 482,68 €5,36 €
50 - 982,50 €5,00 €
100 - 1982,315 €4,63 €
200 +2,14 €4,28 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5843
Codice costruttore:
IPB011N04NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Link consigliati