MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 187 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB018N06NF2SATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

12,00 €

(IVA esclusa)

14,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 790 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 202,40 €12,00 €
25 - 452,158 €10,79 €
50 - 1202,016 €10,08 €
125 - 2451,872 €9,36 €
250 +1,728 €8,64 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5855
Codice costruttore:
IPB018N06NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

187A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Link consigliati

Recently viewed