MOSFET Infineon, canale N, 122 A, PG-TO263-3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 262-5857
Codice costruttore:: IPB023N04NF2SATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 122 A, PG-TO263-3, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 5**

1,682 €

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 45	1,682 €	8,41 €
50 - 120	1,496 €	7,48 €
125 - 245	1,396 €	6,98 €
250 - 495	1,314 €	6,57 €
500 +	1,212 €	6,06 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 262-5857
Codice costruttore:: IPB023N04NF2SATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPB023N04NF2SATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	122 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PG-TO263-3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Modalità del canale	Enhancement
Materiale del transistor	SiC
Numero di elementi per chip	2

MOSFET Infineon, canale N, 122 A, PG-TO263-3, Montaggio superficiale

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