MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB029N06NF2SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5859
Codice costruttore:
IPB029N06NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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