MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 90 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 262-6734P
- Codice costruttore:
- IRF7451TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 262-6734P
- Codice costruttore:
- IRF7451TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon ha una bassa carica gate-drain per ridurre le perdite di commutazione. È adatto per l'uso con convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.
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