MOSFET Renesas Electronics, canale Tipo P 60 V, 5.1 mΩ P, 100 A, 4 Pin, MP-25ZP (TO-263), Superficie NP100P06PDG-E1-AY

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-1239
Codice costruttore:
NP100P06PDG-E1-AY
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

MP-25ZP (TO-263)

Serie

NP100P06PDG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

300nC

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Renesas Electronics fornisce un'alimentazione a bassa tensione con transistor a effetto campo MOS a canale P progettato per applicazioni di commutazione ad alta corrente. Consiste in una corrente di scarico massima di 100 A.

La tensione massima della sorgente di scarico è di 60 V

Il tipo di montaggio è a montaggio superficiale

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