MOSFET Renesas Electronics, canale Tipo P 60 V, 5.1 mΩ P, 100 A, 4 Pin, MP-25ZP (TO-263), Superficie NP100P06PDG-E1-AY
- Codice RS:
- 264-1239P
- Codice costruttore:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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- Codice RS:
- 264-1239P
- Codice costruttore:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | MP-25ZP (TO-263) | |
| Serie | NP100P06PDG | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.1mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 300nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package MP-25ZP (TO-263) | ||
Serie NP100P06PDG | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.1mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 300nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Renesas Electronics fornisce un'alimentazione a bassa tensione con transistor a effetto campo MOS a canale P progettato per applicazioni di commutazione ad alta corrente. Consiste in una corrente di scarico massima di 100 A.
La tensione massima della sorgente di scarico è di 60 V
Il tipo di montaggio è a montaggio superficiale