MOSFET Microchip, canale Tipo N 400 V MOSFET, 4 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante
- Codice RS:
- 264-8923P
- Codice costruttore:
- TN2640K4-G
- Costruttore:
- Microchip
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
107,75 €
(IVA esclusa)
131,45 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 98 | 2,155 € |
| 100 - 248 | 1,93 € |
| 250 - 998 | 1,895 € |
| 1000 + | 1,86 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-8923P
- Codice costruttore:
- TN2640K4-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | MOSFET | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.36W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale MOSFET | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.36W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.
Soglia bassa (2,0 V max.)
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapida
Bassa resistenza in stato attivo
Esente da guasti secondari
Bassa dispersione in ingresso e in uscita