MOSFET Microchip, canale Tipo N 350 V, 15 Ω MOSFET, 230 mA, 3 Pin, SOT-23, Foro passante TN5335K1-G
- Codice RS:
- 264-8925P
- Codice costruttore:
- TN5335K1-G
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 100 - 240 | 0,701 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-8925P
- Codice costruttore:
- TN5335K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 350V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | TN5335 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15Ω | |
| Modalità canale | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.3 mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 350V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie TN5335 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15Ω | ||
Modalità canale MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.3 mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.
Soglia bassa
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapida
Bassa resistenza in stato attivo
Esente da guasti secondari
Bassa dispersione in ingresso e in uscita