MOSFET ROHM, canale N 6 V, 81 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
266-3852P
Codice costruttore:
RD3R02BBHTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

6V

Serie

RD3R02BBH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

81mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e contenitore ad alta potenza, adatto per la commutazione.

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni

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