MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.084 Ω Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB085N60EF-GE3
- Codice RS:
- 268-8293P
- Codice costruttore:
- SIHB085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8293P
- Codice costruttore:
- SIHB085N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHB di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 34 A - SIHB085N60EF-GE3
Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto per i circuiti che richiedono una corrente di drenaggio consistente e una capacità di tensione drain-sorgente elevata. Il componente è fornito in un contenitore TO-263 per la gestione termica su stadi di potenza montati su circuito stampato.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica totale del gate di 63 nC consente una progettazione prevedibile del gate drive
• La dissipazione di potenza di 184 W favorisce layout ad alta densità di potenza
• Il limite Vgs 30 V supporta robusti margini di tensione gate
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica totale del gate di 63 nC consente una progettazione prevedibile del gate drive
• La dissipazione di potenza di 184 W favorisce layout ad alta densità di potenza
• Il limite Vgs 30 V supporta robusti margini di tensione gate
Applicazioni
• Ideale per i convertitori di potenza nelle alimentazioni industriali
• Adatto per le fasi di commutazione degli inverter ad alta tensione
• Utilizzato per i transistor di commutazione front-end con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per la regolazione della guida di alimentazione delle telecomunicazioni
• Consigliato per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione
• Adatto per le fasi di commutazione degli inverter ad alta tensione
• Utilizzato per i transistor di commutazione front-end con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per la regolazione della guida di alimentazione delle telecomunicazioni
• Consigliato per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione
Quali vantaggi del pacchetto aiutano la progettazione termica dei circuiti stampati?
Il formato a montaggio superficiale TO-263 offre un'ampia area termica e una linguetta in metallo per migliorare il trasferimento del calore alla scheda e le disposizioni esterne del dissipatore.
In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del circuito di azionamento?
La carica del gate di 63 nC determina la corrente del driver richiesta e le perdite di commutazione
i driver per gate devono generare e dissipare una corrente sufficiente per le velocità di transizione desiderate per bilanciare l'efficienza e le EMI.
Quale intervallo di temperatura è in grado di sopportare durante il funzionamento?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C di giunzione o condizioni ambientali definite dal raffreddamento del sistema, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.
Esistono restrizioni normative per l'uso?
Il componente è conforme alle direttive RoHS, il che indica che soddisfa i requisiti sulle sostanze soggette a restrizioni per gli assemblaggi elettronici.