MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 268-8313P
- Codice costruttore:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice costruttore:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.125Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 132W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.125Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 132W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHK125N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo su schede a circuito stampato. Funziona in un ampio intervallo termico ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione robusta della tensione e una capacità di corrente moderata in un contenitore PowerPAK montato su circuito stampato.
Caratteristiche e vantaggi:
• capacità di drenaggio 650 V per la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 21 A per un'erogazione di potenza costante
• Basso Rds(on) di 0.125 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 132 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 45 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Valore nominale gate-source di 30 V per livelli di azionamento gate flessibili
• Corrente di drenaggio continua di 21 A per un'erogazione di potenza costante
• Basso Rds(on) di 0.125 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 132 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 45 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Valore nominale gate-source di 30 V per livelli di azionamento gate flessibili
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Ideale per i frontali con azionamento a motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza
• Adatto per circuiti inverter nei sistemi a energia rinnovabile
• Ideale per i frontali con azionamento a motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza
• Adatto per circuiti inverter nei sistemi a energia rinnovabile
Quale contenitore è fornito per l'assemblaggio del circuito stampato e la gestione termica?
Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 progettato per il montaggio su circuito stampato per facilitare il trasferimento del calore alla scheda e facilitare i percorsi termici basati sulla saldatura.
Quali estremi termici può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con notevoli variazioni di temperatura.
Come si comporta il dispositivo come un interruttore azionato da gate?
Si tratta di un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento che richiede una tensione di sorgente gate positiva fino al suo limite di 30 V per condurre, e la sua carica gate tipica di 45 nC fornisce informazioni sui calcoli di energia di commutazione.
Sono presenti attributi ambientali o normativi?
Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni, in linea con le direttive ambientali standard sui componenti elettronici.