MOSFET STMicroelectronics, canale N 800 V, 340 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N340K6

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Codice RS:
269-5164P
Codice costruttore:
STP80N340K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

340mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

28.9mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è un MOSFET ad alta tensione progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6 che si traduce nella migliore classe di resistenza per area e carica gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Carica gate ultra bassa

Testato a valanga al 100%

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