MOSFET Infineon, canale N, 47 A, TO-263, Su foro

Il MOSFET di Infineon riduce la complessità e i costi dei sistemi. Questo MOSFET è dotato di un robusto body diode che garantisce una commutazione hard, una tensione di soglia di riferimento del gate di 4,5 V, un pin di rilevamento per ottimizzare le prestazioni di commutazione e la tecnologia di interconnessione .XT che garantisce le migliori prestazioni termiche della categoria. La distanza di dispersione e di gioco del pacchetto è superiore a 6,1 mm.

Miglioramento dell'efficienza
Riduzione dello sforzo di raffreddamento
Maggiore densità di potenza
Perdite di commutazione molto basse
Consente di aumentare la frequenza
Robusto contro le accensioni parassite