MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V N, 80 A, 3 Pin, PG-TO-220, Foro passante IPP086N10N3GXKSA1

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Codice RS:
273-7466
Codice costruttore:
IPP086N10N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-TO-220

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC1

Larghezza

40 mm

Lunghezza

40mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon è ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC1 per l'applicazione target. Si tratta di un MOSFET a canale N e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

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