STMicroelectronics, canale N 750 V, 25 A Miglioramento, PowerFLAT (5 x 6) HV, Superficie, 4 Pin SGT65R65AL
- Codice RS:
- 275-1318P
- Codice costruttore:
- SGT65R65AL
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 275-1318P
- Codice costruttore:
- SGT65R65AL
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 750 V | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 25 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 750 V | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 25 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
- Paese di origine:
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge