MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 600 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N600K6
- Codice RS:
- 275-1356P
- Codice costruttore:
- STP80N600K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
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- STP80N600K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 86W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 86W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando l'ultima tecnologia MDmesh K6 basata sulla tecnologia Super Junction. Il risultato è il migliore della classe in termini di resistenza per area e carica del gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.
Carica gate ultrabassa
Testato al 100% contro le valanghe
Protezione Zener