MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.149 Ω Miglioramento, 1.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2392BDS-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9893P
- Codice costruttore:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 40 - 80 | 0,51 € |
| 100 - 280 | 0,456 € |
| 300 - 980 | 0,446 € |
| 1000 + | 0,436 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9893P
- Codice costruttore:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | SI | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.149Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie SI | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.149Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
RDS molto basso x Qg cifra di merito
Testato al 100% Rg e UIS