MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.093 Ω Miglioramento, 17 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4190BDY-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9895P
- Codice costruttore:
- SI4190BDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 60 - 96 | 2,815 € |
| 100 - 236 | 2,505 € |
| 240 - 996 | 2,463 € |
| 1000 + | 2,415 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9895P
- Codice costruttore:
- SI4190BDY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | SI | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.093Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 95nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 8.4W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie SI | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.093Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 95nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 8.4W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
RDS molto basso x Qg cifra di merito
Testato al 100% Rg e UIS