MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG155N60EF-GE3
- Codice RS:
- 279-9912P
- Codice costruttore:
- SIHG155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9912P
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- SIHG155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.159Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 15.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.159Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 15.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHG Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHG155N60EF-GE3
Questo MOSFET a canale n è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per le attività di conversione di potenza e controllo nei sistemi industriali ed elettronici. È progettato per l'uso nel montaggio a foro passante su gruppi di alimentazione in cui sono richieste una robusta gestione a valanga e termica. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per le applicazioni che richiedono una notevole portata di potenza e flessibilità dell'azionamento del gate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta il funzionamento a carico sostenuto • L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione durante l'accensione • La dissipazione di potenza di 179 W consente una maggiore capacità di carico termico • La carica del gate 38 nC facilita un comportamento di commutazione prevedibile • La tolleranza del gate di 30 V consente un margine di azionamento generoso per i circuiti del gate
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per circuiti di azionamento a valvola o a solenoide che richiedono componenti a foro passante • Utilizzato con stadi di potenza discreti in laboratori e piattaforme di prova
Quali sono le considerazioni di montaggio necessarie per la gestione del calore?
Utilizzare un dissipatore con classificazione appropriata fissato alla superficie di montaggio del contenitore e garantire il flusso d'aria o il materiale dell'interfaccia termica per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.
Come si comporta il dispositivo a temperature ambientali elevate?
È specificato per il funzionamento in un'ampia gamma di temperature e richiede la riduzione della corrente ammissibile e della dissipazione di potenza man mano che la temperatura di giunzione si avvicina al suo limite nominale massimo.
Quale disposizione del gate-drive è adatta per una commutazione rapida?
Si consiglia di utilizzare un driver gate in grado di generare e dissipare correnti per raggiungere i tempi di transizione della carica del gate specificati, rispettando al contempo il limite gate-sorgente di 30 V.
Esistono considerazioni per le perdite di commutazione ad alta frequenza?
Le perdite di commutazione scendono con l'energia di transizione indotta dalla frequenza e dalla carica di gate, riducendo al minimo le durate di transizione e gestendo la dissipazione termica quando si funziona a velocità di commutazione elevate.