MOSFET Vishay, canale N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH150N60E-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9914P
- Codice costruttore:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 279-9914P
- Codice costruttore:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.158Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.158Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHH150N60E-T1-GE3
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi industriali ed elettronici. Funziona in un'ampia gamma termica ed è confezionato per il montaggio superficiale, il che lo rende adatto per gruppi di alimentazione compatti in cui è richiesta la commutazione controllata di alte tensioni.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione alla corrente d'esercizio • La carica di gate tipica di 36 nC consente un'energia di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza massima di 156 W gestisce il carico termico nei progetti • La soglia del gate da 30 V accoglie le tensioni standard del gate-drive
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e inverter ad alta tensione • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per la conversione di potenza in modalità commutata nei sistemi di automazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico ad alta tensione nelle apparecchiature di test
Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?
È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.
Come viene montato il dispositivo nei moduli di alimentazione compatti?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 con quattro pin per l'assemblaggio su circuito stampato a basso profilo.
Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?
La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare di superare i limiti del gate.
In che modo il suo pacchetto influisce sulla gestione termica?
Il contenitore superficiale PowerPAK 8x8 combinato con la dissipazione nominale di 156 W consente un trasferimento di calore efficiente se abbinato a un design termico PCB appropriato.