MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.00383 Ω Miglioramento, 150 A, 7 Pin, TO 263-7L, Superficie SUM70042M-GE3
- Codice RS:
- 280-0035P
- Codice costruttore:
- SUM70042M-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 280-0035P
- Codice costruttore:
- SUM70042M-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO 263-7L | |
| Serie | SUM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00383Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 0.74V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 126nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.414mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO 263-7L | ||
Serie SUM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00383Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 0.74V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 126nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.414mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
RDS molto basso x Qg cifra di merito
Testato al 100% Rg e UIS