Transistor MOSFET VISHAY, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

400 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

550 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

125 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.41mm

Carica gate tipica @ Vgs

63 nC a 10 V

Larghezza

4.7mm

Altezza

9.01mm

Minima temperatura operativa

-55 °C