MOSFET STMicroelectronics, canale N, 350 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 419-2197P
Codice costruttore:: STP12NM50
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 350 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 419-2197P
Codice costruttore:: STP12NM50
Costruttore:: STMicroelectronics

STP12NM50 - STP12NM50FP, STB12NM50 - STB12NM50-1, N-Channel 550V, 0.30 Ohm, 12A MDmesh Power MOSFET in TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	MDmesh
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-65 °C
Altezza	9.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 350 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 500 V, STMicroelectronics