MOSFET Nexperia, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 436-8091P
Codice costruttore:: BSS84,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità
10 +	0,035 €

Codice RS:: 436-8091P
Codice costruttore:: BSS84,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	130 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	250 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P, Nexperia