Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 28 mΩ, 50 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

50 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

D2PAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

28 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

60,6 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.35mm

Altezza

4.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

STripFET