2 MOSFET di potenza STMicroelectronics Tipo isolato, canale Tipo N, 55 mΩ, 4 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 10 unità (fornito in una striscia continua)*

20,30 €

(IVA esclusa)

24,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 11.080 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
10 - 202,03 €
25 - 951,922 €
100 - 4951,508 €
500 +1,27 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
485-8358P
Codice costruttore:
STS4DNF60L
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.25mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N STripFET™, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics