MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 540 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD110PBF

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Codice RS:
541-1039
Codice costruttore:
IRFD110PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

540mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

2.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.29 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

3.37mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

CARATTERISTICHE

MOSFET di potenza • TrenchFET®

Contenitore • con bassa resistenza termica

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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