MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 540 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD110PBF

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Temporaneamente esaurito
Codice RS:
541-1039
Codice costruttore:
IRFD110PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

540mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

2.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.29mm

Altezza

3.37mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

CARATTERISTICHE

MOSFET di potenza • TrenchFET®

Contenitore • con bassa resistenza termica

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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