MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 40 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-1720P
Codice costruttore:: IRF5210PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 40 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 541-1720P
Codice costruttore:: IRF5210PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	40 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Larghezza	4.69mm
Lunghezza	10.54mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	8.77mm

MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 40 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon