MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 3 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 542-9412
- Codice costruttore:
- IRF820APBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 542-9412
- Codice costruttore:
- IRF820APBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Vishay ha una bassa carica di gate Qg che si traduce in un semplice requisito di azionamento e ha una maggiore robustezza gate, effetto valanga e DV/dt dinamico.
Gamma di temperature di esercizio della giunzione e di stoccaggio: Da -55 a +150 °C.