MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 542-9507P
Codice costruttore:: IRFBC30PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 542-9507P
Codice costruttore:: IRFBC30PBF
Costruttore:: Vishay

IRFBC30PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,6 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 10 V
Larghezza	4.7mm
Lunghezza	10.41mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.01mm

MOSFET Vishay, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor