MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 4 A, TO-220AB, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 4 A, TO-220AB, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 543-0018
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Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	43 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.41mm
Larghezza	4.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.01mm

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