MOSFET Infineon, canale N, 2,8 Ω, 210 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 543-1156P
Codice costruttore:: IRFP3703PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,8 Ω, 210 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:: 543-1156P
Codice costruttore:: IRFP3703PBF
Costruttore:: Infineon

IRFP3703PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	210 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TO247AC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	15.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	5.3mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	209 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.3mm

MOSFET Infineon, canale N, 2,8 Ω, 210 A, TO247AC, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon