Transistor MOSFET Renesas Electronics, canale N, 4,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

1000 mW

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

9 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

2.3mm

Altezza

5.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C